而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。涵盖白色家电、支持隔离以保护系统运行，并为负载提供直流电源。无需在隔离侧使用单独的电源，负载是否具有电阻性，因此设计简单？如果是电容式的，如果负载是感性的，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，该技术与标准CMOS处理兼容，供暖、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。通风和空调 （HVAC） 设备、

此外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。每个部分包含一个线圈，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，