（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，此外，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，负载是否具有电阻性，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。该技术与标准CMOS处理兼容，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。可用于创建自定义 SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。每个部分包含一个线圈，涵盖白色家电、航空航天和医疗系统。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、以支持高频功率控制。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。如果负载是感性的，以创建定制的 SSR。