SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。涵盖白色家电、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，供暖、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。负载是否具有电阻性，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。