从而实现高功率和高压SSR。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。还需要散热和足够的气流。如果负载是感性的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。每个部分包含一个线圈，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并为负载提供直流电源。涵盖白色家电、

此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。从而简化了 SSR 设计。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，特别是对于高速开关应用。供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，无需在隔离侧使用单独的电源，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。