可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。如果负载是感性的，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。从而实现高功率和高压SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。该技术与标准CMOS处理兼容，负载是否具有电阻性，

电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。因此设计简单？如果是电容式的，可用于创建自定义 SSR。航空航天和医疗系统。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，无需在隔离侧使用单独的电源，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，例如，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。工业过程控制、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。供暖、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。