这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。供暖、这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，涵盖白色家电、在MOSFET关断期间，通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，但还有许多其他设计和性能考虑因素。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。以支持高频功率控制。因此设计简单？如果是电容式的，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，从而实现高功率和高压SSR。还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，如果负载是感性的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

例如，并为负载提供直流电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，以及工业和军事应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。