两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以支持高频功率控制。并为负载提供直流电源。该技术与标准CMOS处理兼容，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。以及工业和军事应用。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。特别是对于高速开关应用。以创建定制的 SSR。从而简化了 SSR 设计。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，

此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、模块化部分和接收器或解调器部分。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，航空航天和医疗系统。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。因此设计简单？如果是电容式的，例如，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要散热和足够的气流。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，