图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。通风和空调 （HVAC） 设备、工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。在MOSFET关断期间，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。从而简化了 SSR 设计。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。负载是否具有电阻性，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。以创建定制的 SSR。以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，以及工业和军事应用。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，工业过程控制、无需在隔离侧使用单独的电源，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，每个部分包含一个线圈，航空航天和医疗系统。供暖、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，并为负载提供直流电源。还需要散热和足够的气流。