显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。该技术与标准CMOS处理兼容，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，如果负载是感性的，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，

此外，工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，特别是对于高速开关应用。