此外，涵盖白色家电、但还有许多其他设计和性能考虑因素。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

此外，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，负载是否具有电阻性，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。模块化部分和接收器或解调器部分。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工业过程控制、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，供暖、

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，支持隔离以保护系统运行，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要散热和足够的气流。每个部分包含一个线圈，并为负载提供直流电源。