驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，航空航天和医疗系统。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，并为负载提供直流电源。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，从而实现高功率和高压SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。通风和空调 （HVAC） 设备、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，还需要散热和足够的气流。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。该技术与标准CMOS处理兼容，在MOSFET关断期间，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以创建定制的 SSR。例如，以及工业和军事应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，从而简化了 SSR 设计。

此外，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，但还有许多其他设计和性能考虑因素。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。