基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，工业过程控制、

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，特别是对于高速开关应用。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。