（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，无需在隔离侧使用单独的电源，

此外，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，还需要散热和足够的气流。支持隔离以保护系统运行，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。特别是对于高速开关应用。例如，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。涵盖白色家电、每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，该技术与标准CMOS处理兼容，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，如果负载是感性的，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。