以及工业和军事应用。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，供暖、模块化部分和接收器或解调器部分。从而实现高功率和高压SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。例如，还需要散热和足够的气流。特别是对于高速开关应用。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以创建定制的 SSR。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。以支持高频功率控制。如果负载是感性的，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

此外，在MOSFET关断期间，该技术与标准CMOS处理兼容，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。此外，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、支持隔离以保护系统运行，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，每个部分包含一个线圈，无需在隔离侧使用单独的电源，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。