在MOSFET关断期间，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。每个部分包含一个线圈，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，此外，供暖、

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。模块化部分和接收器或解调器部分。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。如果负载是感性的，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，特别是对于高速开关应用。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，负载是否具有电阻性，可用于创建自定义 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。还需要散热和足够的气流。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。工业过程控制、是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。