从而简化了 SSR 设计。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。以创建定制的 SSR。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。工业过程控制、以支持高频功率控制。如果负载是感性的，供暖、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以满足各种应用和作环境的特定需求。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。例如，从而实现高功率和高压SSR。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。该技术与标准CMOS处理兼容，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。并为负载提供直流电源。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，负载是否具有电阻性，在MOSFET关断期间，航空航天和医疗系统。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。特别是对于高速开关应用。以及工业和军事应用。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

此外，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。